ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксированные буферные слои Si1-xGex / Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении

Н.В.Востоков, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, О.А.Кузнецов *,
А.В.Новиков, В.А.Перевощиков *, М.В.Шалеев

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: anov@ipm.sci-nnov.ru

Методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении выращены релаксированные градиентные буферные слои Si1-xGex / Si(001), имеющие низкую плотность прорастающих дислокаций. За счет применения химико-механической полировки поверхности слоев Si1-xGex / Si(001) (x~ 25%) удалось понизить шероховатость их поверхности до значений, сравниваемых с шероховатостью поверхности исходных подложек Si(001). Продемонстрировано, что полученные буферные слои Si1-xGex / Si(001) с низкой плотностью прорастающих дислокаций и малой шероховатостью поверхности могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания различных SiGe / Si-гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

Работа выполнена при финансовой поддержке программ Минпромнауки РФ, Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16792), и программы BRHE (проект N Y1 P-01-05).

 PDF версия (122Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster