ФТТ, 2004, том 46, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Послесвечение вюрцитных кристаллов GaN, легированных редкоземельными металлами

В.В.Криволапчук, М.М.Мездрогина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vlad.krivol@mail.ioffe.ru, margaret.m@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 26 апреля 2004 г.)

Методами измерения задержанных спектров близкраевой фотолюминесценции оценено влияние распределения примеси и суммарной концентрации дефектов на транспорт неравновесных носителей, обнаружены особенности послесвечения в кристаллах GaN, GaN<Eu, Sm, Er>. Показано, что уменьшение суммарной концентрации носителей коррелирует с послесвечением в вюрцитных кристаллах GaN. Оценено влияние дополнительной подсветки при длине волны 5145 Angstrem на эволюцию задержанных спектров близкраевой фотолюминесценции для кристаллов с различным положением уровня Ферми.

Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.

 PDF версия (301Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster