ФТТ, 2004, том 46, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Взаимодействие с носителями заряда и спектр оптического поглощения ассоциата элементарных дефектов в SiO2:
вакансия кислорода / силиленовый центр

А.Е.Патраков, В.А.Гриценко, Г.М.Жидомиров *

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Институт катализа Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: m

(Поступила в Редакцию 9 декабря 2003 г.)

Методами квантовой химии исследована способность ряда собственных дефектов в SiO2 захватывать электроны и дырки. Установлено, что двухкоординированный атом кремния с двумя неспаренными электронами-силиленовый центр (=Si:) и кремний-кремниевая связь-кислородная вакансия (=Si--Si=) являются электрон-дырочными ловушками в SiO2. Исследованы свойства дефекта, представляющего собой ассоциат двух указанных выше центров, и установлено, что этот дефект может захватывать электроны и дырки, т. е. является амфотерным дефектом в SiO2. Спектр оптического поглощения дефекта практически совпадает со спектром оптического поглощения оксирадикала (=Si--O·) в диоксиде кремния.

Работа поддержана грантом N 116 СО РАН.

 PDF версия (144Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster