ФТТ, 2004, том 46, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Перенос заряда в кристаллах PbMoO4

М.Д.Волнянский, А.Ю.Кудзин, С.Н.Пляка, З.Баласме

Днепропетровский национальный университет,
320625 Днепропетровск, Украина
E-mail: SPlyaka@ff.dsu.dp.ua

(Поступила в Редакцию 17 марта 2004 г.)

Изучена проводимость кристаллов молибдата свинца на постоянном и переменном токе в интервале температур 300-550 K. Показано, что электропроводность носит электронный (дырочный) примесный характер. Вольт-амперные характеристики типичны для токов, ограниченных объемным зарядом. Оценена подвижность носителей заряда (10-5 cm2·V-1·s-1 при T=300 K). На основании проведенных исследований сделан вывод о прыжковом механизме проводимости в кристаллах PbMoO4.

 PDF версия (114Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster