ФТТ, 2004, том 46, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рекомбинационный механизм спин-гальванического эффекта

А.И.Грачев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: grach.shuv@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 5 февраля 2004 г.)

Рассматривается механизм спин-гальванического эффекта, при котором генерация тока происходит за счет разницы скорости спонтанных излучательных переходов носителей заряда с противоположно направленными спинами. Указанная асимметрия возникает в условиях пространственно однородной неравновесной спиновой ориентации термализованных электронов (дырок), которая может осуществляться любым из известных способов.

 PDF версия (87Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster