ФТТ, 2004, том 46, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксационные явления в монокристаллах TlGa0.99Fe0.01Se2

С.Н.Мустафаева, А.И.Гасанов

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
1143 Баку, Азербайджан
E-mail: itpcht@itpcht.ab.az

(Поступила в Редакцию 12 января 2004 г.)

Обнаружено, что в монокристаллах TlGa0.99Fe0.01Se2 в постоянном электрическом поле протекают релаксационные электронные процессы, обусловленные аккумулированием в них значительных зарядов. Установлено, что релаксация тока при различных электрических полях и температурах, гистерезис ВАХ и накопление заряда в TlGa0.99Fe0.01Se2 согласуются с эстафетным механизмом переноса заряда, образованного на глубоких энергетических уровнях в запрещенной зоне за счет инжекции носителей с контакта. В изученных монокристаллах определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: эффективная подвижность заряда, переносимого с помощью глубоких центров, muf=5.6·10-2 cm2/V·s при 300 K и ее энергия активации Delta E=0.54 eV; контактная емкость образца Cc=5·10-8 F; область сосредоточения заряда в кристалле dc=1.17·10-6 cm; постоянная зарядки контакта tau=15 s; время пролета носителей заряда через образец tt=1.8·10-3 s; энергия активации ловушек, ответственных за релаксацию тока, Delta Esigma=Delta EQ=0.58 eV.

 PDF версия (208Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster