| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фазовое расслоение, индуцированное кислородным изотопическим замещением, в манганитах системы SmSrMnO
Н.А.Бабушкина, Е.А.Чистотина, О.Ю.Горбенко, А.Р.Кауль, К.И.Кугель,
А.И.Курбаков, В.А.Трунов, Ж.Андре
Российский научный центр \glqq Курчатовский институт\grqq, Институт молекулярной физики,
123182 Москва, Россия
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
Институт теоретической и прикладной электродинамики Российской академии наук,
127412 Москва, Россия
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук,
188300 Гатчина, Ленинградская обл., Россия
Лаборатория Леона Бриллюэна, Научный центр Сакле,
91191 Жиф-сюр-Иветт, Франция
E-mail: KURBAKOV@pnpi.spb.ru
(Поступила в Редакцию 3 февраля 2004 г.)
|
Исследуется влияние кислородного изотопического замещения на электрические и магнитные свойства манганитов системы SmSrMnO. Показано, что кислородное изотопическое замещение приводит к значительному изменению фазовой диаграммы в промежуточной области между областями ферромагнитного металла и антиферромагнитного диэлектрика, индуцирует фазовое расслоение и преобразование основного металлического состояния в диэлектрическое для и 0.5. Обсуждаются особенности переходов металл--диэлектрик для системы Sm--Sr в целом и природа низкотемпературной фазы. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 01-02-16240, 02-02-16078, 02-03-33258 и 00-15-96570), CRDF (проект N RP2-2355-MO02), ИНТАС (проект N 01-2008), NWO (проект N 047-008-017) и программы НИВ (проект 40.012.1.1.1149). |
| PDF версия (432Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |