ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Обратимое изменение микротвердости кристаллов Si, вызванное малыми дозами облучения электронами

Ю.И.Головин, А.А.Дмитриевский, И.А.Пушнин, Н.Ю.Сучкова

Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина,
392622 Тамбов, Россия
E-mail: dmitr2002@tsu.tmb.ru

(Поступила в Редакцию 10 февраля 2004 г.)

Обнаружено обратимое разупорядочение монокристаллов кремния, инициируемое малыми дозами (D<1 cGy) бета-облучения. Наличие пиков на зависимости изменения микротвердости Si от флюенса объясняется многостадийными конкурирующими процессами преобразований радиационных дефектов.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17571), а также программы Университеты России (грант N У.Р.01.01.013).

 PDF версия (113Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster