ФТТ, 2004, том 46, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Теория отражения и поглощения света полупроводниковыми объектами пониженной размерности, помещенными в сильное магнитное поле, при монохроматическом и импульсном возбуждении

И.Г.Ланг, С.Т.Павлов *,**, Л.И.Коровин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Facultad de Fisica de la UAZ,
Apartado Postal C-580, 8060 Zacatecas, Zac., Mexico
** Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Поступила в Редакцию 15 января 2004 г.)

Разработаны основы теории отражения и поглощения света полупроводниковыми объектами пониженной размерности (квантовыми ямами, проволоками и точками) как при монохроматическом, так и при импульсном облучении при любой форме импульса. Полупроводниковый объект может быть помещен в сильное стационарное магнитное поле.

В качестве примера рассмотрен случай нормального падения света на поверхность квантовой ямы, ширина которой может быть сравнима с длиной световой волны, а число уровней электронных возбуждений --- произвольным. Для Фурье-компонент электрических полей получено интегральное уравнение, напоминающее уравнение Дайсона. Приведены решения этого уравнения в ряде частных случаев.

 PDF версия (197Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster