ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кинетика окисления тонких пленок титана, выращенных на поверхности вольфрама

В.Н.Агеев, Е.Ю.Афанасьева, Н.Д.Потехина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: afanaseva@ms.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 16 декабря 2003 г.)

Методами термодесорбционной спектрометрии и оже-электронной спектроскопии исследован рост тонких пленок Ti на грани (100)W, а также кинетика их окисления. Механизм роста пленки Ti на грани (100)W при комнатной температуре близок к послойному. Энергия активации десорбции атомов Ti уменьшается от 5.2 eV при степени покрытия theta=0.1 до 4.9 eV в многослойной пленке. При окислении тонкой (theta=6) титановой пленки сначала наблюдается растворение в ее объеме атомов кислорода до предельной для данной температуры концентрации, затем пленка окисляется до TiO, при дальнейшей экспозиции в кислороде наблюдается рост окисла TiO2. При термодесорбции окислы испаряются с нулевым порядком кинетики десорбции и следующими энергиями активации десорбции: 5.1 eV (TiO) и 5.9 eV (TiO2).

Работа выполнена в рамках Российской государственной программы \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (ГК N 1152) и при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17523).

 PDF версия (295Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster