ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8
Дефектообразование в эпитаксиальных гетероструктурах GeSi/Ge(111)
Т.Г.Югова, М.Г.Мильвидский , В.И.Вдовин
Государственный научно-исследовательский институт редкометаллической промышленности \glqq Гиредмет\grqq,
109017 Москва, Россия
Институт химических проблем микроэлектроники,
109017 Москва, Россия
E-mail: icpm@mail.girmet.ru
(Поступила в Редакцию в окончательном виде 12 января 2004 г.)
|
С помощью методов селективного химического травления и просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности дефектообразования в эпитаксиальных гетероструктурах GeSi/Ge(111) в диапазоне составов твердого раствора (ТР) |