ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8
ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Концентрационная зависимость радиационно-стимулированных изменений оптических свойств пленок GeAsS
В.Т.Маслюк, Е.Скордева, П.П.Пуга, Д.Арсова, В.Памукчиева
Институт электронной физики Национальной академии наук Украины,
88016 Ужгород, Украина
Институт физики твердого тела Болгарской академии наук,
1784 София, Болгария
E-mail: maslyuk@univ.uzhgorod. ua
(Поступила в Редакцию 12 ноября 2003 г.)
|
Представлены результаты исследования концентрационной зависимости радиационно-индуцированных изменений оптических свойств халькогенидных стекол (ХС) системы Ge--As--S. Теоретический расчет учитывает возможные ограничения на область \glqq переключений\grqq гомо-, гетеросвязей структурной сетки ХС. Экспериментальные данные получены при облучении (быстрые электроны, 6 MeV) тонких пленок системы GeAsS. Обсуждается возможный механизм структурных превращений ХС, ответственный за особенности концентрационной зависимости амплитуды изменения их ширины запрещенной зоны. Работа выполнена в рамках международного Болгаро-Украинского договора о научном сотрудничестве между академическими институтами. |
| PDF версия (230Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |