ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Смешанная (ионная и дырочная) проводимость кристаллов Tl3VS4

Б.В.Беляев, В.А.Грицких, И.В.Жихарев *, С.В.Кара-Мурза, Н.В.Корчикова

Луганский национальный педагогический университет им. Т. Шевченко,
91011 Луганск, Украина
* Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины,
83055 Донецк, Украина
E-mail: mark@bm.dsip.net

(Поступила в Редакцию 10 ноября 2003 г.)

Предложена модель смешанной (ионной и дырочной) проводимости в кристаллах Tl3VS4 при температурах, близких к комнатной. Значительная доля ионной составляющей проводимости (около 70% от общей) объясняется наличием в материале нестехиометрических электрически активных вакансий таллия, акцепторные уровни которых обеспечивают p-тип проводимости. Для описания характерной зависимости напряжения на образце от времени в режимах поляризации и деполяризации использовалась диффузионная теория смешанной проводимости, развитая ранее Йокотой. Приведены результаты экспериментальных исследований явлений переноса заряда в Tl3VS4 и их обработка в соответствии с теоретической моделью.

 PDF версия (171Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster