ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гальваномагнитные и термоэлектрические свойства твердых растворов p-Bi2-xSbxTe3-ySey в низкотемпературной области (<220 K)

Л.Н.Лукьянова, В.А.Кутасов, В.В.Попов, П.П.Константинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 18 ноября 2003 г.)

Приведены результаты исследования гальваномагнитных и термоэлектрических свойств твердых растворов p-Bi2-xSbxTe3-ySey (x=<q 1.2, y=<q 0.09) при различных концентрациях носителей заряда. В рамках многодолинной модели энергетического спектра рассчитан параметр вырождения betad, определяющий процессы рассеяния в твердых растворах. На основании данных о параметре вырождения и коэффициенте термоэдс alpha найдены величины эффективного параметра рассеяния ref и приведенного уровня Ферми eta. Установлено, что ref зависит от концентрации носителей заряда в исследуемых материалах. С учетом ref определены температурные зависимости эффективной массы плотности состояний m/m0 и подвижности mu0 в образцах с различными концентрациями носителей.

Работа частично поддержана проектом Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-17605а.

 PDF версия (224Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster