Проведено теоретическое исследование вольт-амперных характеристик однослойных нанотрубок в зависимости от их радиуса и хиральности. Показано, что кондактанс однослойной нанотрубки при малых напряжениях может принимать дискретные значения, равные нулю для диэлектрической и $4(e2/h)$ для проводящей трубки ($e$ --- заряд электрона, $h$ --- постоянная Планка). На вольт-амперной характеристике нанотрубки имеются изломы, связанные с дискретностью электронного спектра. Исследовано поведение кондактанса нонотрубки при нулевой температуре в квантующем продольном магнитном поле, меняющем тип проводимости трубки. В магнитном поле кондактанс диэлектрической трубки при малом напряжении может принять значение $2(e2/h)$, когда трубка становится проводящей. Проводящая трубка в слабом магнитном поле становится диэлектрической с шириной запрещенной щели, зависящей от величины магнитного поля. Проведены расчеты кондактанса углеродной нанотрубки в зависимости от температуры и продольного магнитного поля.