ФТТ, 2004, том 46, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотогенерация дырок и электронов в аморфных молекулярных полупроводниках

Н.А.Давиденко, Н.Г.Кувшинский, С.Л.Студзинский, Н.Г.Чуприн, Н.А.Деревянко *,
А.А.Ищенко *, А.Д.Аль-Кадими **

Киевский национальный университет им. Т. Шевченко,
01033 Киев, Украина
* Институт органической химии Национальной академии наук Украины,
02094 Киев, Украина
** Национальный технический университет Украины (КПИ),
03056 Киев, Украина

(Поступила в Редакцию 27 марта 2003 г.
В окончательной редакции 26 августа 2003 г.)

Исследованы фотопроводящие свойства аморфных молекулярных полупроводников на основе пленок полистирола, допированных эпоксипропилкарбазолом и катионным полиметиновым красителем, тетранитрофлуореноном и анионным полиметиновым красителем. Первый тип пленок имеет дырочную проводимость, второй --- электронную. Для второго типа пленок в отличии от первого с уменьшением длины волны света из области поглощения красителей обнаружено уменьшение энергии активации фотогенерации подвижных носителей заряда. Проведен анализ возможных механизмов влияния энергии кванта света возбуждения на начальное расстояние между носителями заряда в электронно-дырочных парах. Сделан вывод, что при невысоких скоростях рассеивания избытка тепловой энергии от возбужденных молекул красителя из-за электрон-ядеpного взаимодействия фотогенерированные электроны имеют возможность уйти от центра фотогенерации на большие расстояния по сравнению с дырками.

 PDF версия (190Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster