| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Диэлектрический отклик на изменение температуры и электрическое поле для слоя (1000 nm)SrTiO, выращенного эпитаксиально на (001)LaCaMnO
Ю.А.Бойков, Т.Клаесон
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Yu.Boikov@mail.ioffe.ru
Чалмерский технический университет,
S-41296 Гетеборг, Швеция
(Поступила в Редакцию 18 сентября 2003 г.
В окончательной редакции 11 ноября 2003 г.)
|
Исследованы структуры и диэлектрические параметры промежуточного слоя (1000 nm)SrTiO в трехслойной гетероструктуре , сформированной на подложке . Оба оксидных электрода, так же как и слой из титаната стронция, выращены эпитаксиально --- \glqq куб на куб\grqq. Параметр элементарной ячейки в слое SrTiO, измеренный в плоскости подложки ( Angstrem), практически совпадал с соответствующим параметром ( Angstrem), измеренным вдоль нормали к ее поверхности. В интервале K температурная зависимость вещественной части диэлектрической проницаемости слоя SrTiO хорошо аппроксимировалась соотношением , где и --- соответственно постоянная Кюри и температура Кюри--Вейса для объемных кристаллов титаната стронция, --- диэлектрическая проницаемость вакуума. Полученные данные по зависимости диэлектрической проницаемости пленок SrTiO от температуры позволили оценить эффективную глубину проникновения электрического поля в манганитный электрод ( nm) и связанную с этим емкость () межфазной границы между слоем (001)SrTiO и нижним электродом (001)LaCaMnO. Частичная финансовая поддержка данных исследований получена в рамках проекта \glqq Низкоразмерные квантовые наноструктуры\grqq. |
| PDF версия (291Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |