ФТТ, 2004, том 46, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

К теории теплопроводности диэлектриков при учете связи с термостатом (теория и численный эксперимент)

С.О.Гладков, И.В.Гладышев

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет),
119454 Москва, Россия

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 1 декабря 2003 г.)

Исследованы внутренние микроскопические диссипативные явления, имеющие место в кристаллических диэлектриках, в которых главным взаимодействием является связь всех подсистем с термостатом.

Показано, что в реальных физических случаях, если учитывается связь не только между взаимодействующими фононными подсистемами диэлектрика, но и с термостатом, процессы переброса для размера образца, меньшего некоторого критического значения L0, играют довольно слабую роль. Для этого случая доказано, что газ фононов \glqq сверхтечет\grqq по объему без торможения и останавливается лишь благодаря взаимодействию с неподвижными поверхностными фононами термостата.

Численными методами установлено, что umklapp-процессы начинают проявляться лишь при высоких температурах T (когда T превышает величину, приблизительно равную ThetaD/4, где ThetaD --- температура Дебая) и для размеров образца L, больших L0, значение которого, согласно приведенным оценкам, должно быть порядка 10 cm.

 PDF версия (390Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster