| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
К теории теплопроводности диэлектриков при учете связи с термостатом (теория и численный эксперимент)
С.О.Гладков, И.В.Гладышев
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет),
119454 Москва, Россия
(Поступила в Редакцию в окончательном виде 1 декабря 2003 г.)
|
Исследованы внутренние микроскопические диссипативные явления, имеющие место в кристаллических диэлектриках, в которых главным взаимодействием является связь всех подсистем с термостатом. Показано, что в реальных физических случаях, если учитывается связь не только между взаимодействующими фононными подсистемами диэлектрика, но и с термостатом, процессы переброса для размера образца, меньшего некоторого критического значения , играют довольно слабую роль. Для этого случая доказано, что газ фононов \glqq сверхтечет\grqq по объему без торможения и останавливается лишь благодаря взаимодействию с неподвижными поверхностными фононами термостата. Численными методами установлено, что -процессы начинают проявляться лишь при высоких температурах (когда превышает величину, приблизительно равную , где --- температура Дебая) и для размеров образца , больших , значение которого, согласно приведенным оценкам, должно быть порядка 10 cm. |
| PDF версия (390Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |