В температурном диапазоне $80-500$ K исследованы особенности спектров поглощения, фото- и рентгенолюминесценции (ФЛ, РЛ), термо- и фотостимулированной люминесценции (ТСЛ, ФСЛ) выращенных методом Бриджмена кристаллов CsBr : Eu$2+$ в зависимости от концентрации примеси EuOBr в предельно возможных для получения совершенных кристаллов границах ($0.1-0.4$ mol.% в шихте). Показано, что с ростом концентрации активатора имеет место уширение полос поглощения и возбуждения ФЛ с максимумами 250 и 350 nm, обусловленных межконфигурационными $4f7$(⁸S_7/2)-> 4f⁶5d(e_g,t_2g) переходами в ионах Eu$2+$. В спектрах ФЛ и ФСЛ кристаллов CsBr : EuOBr ($0.1-0.4$ mol.%) наряду с полосой с $$lambda_max=450 nm выявлены полосы с $$lambda_max=508-523 и 436 nm, которые связываются соответственно с изолированными дипольными Eu$2+$-V_Cs- и Eu$2+$-содержащими агрегатными центрами (АЦ). Установлено, что количество АЦ люминесценции с $$lambda_max=508-523 nm максимально при концентрации EuOBr mol.% и уменьшается с увеличением содержания примеси. Обсуждена возможность образования нанокристаллов типа CsEuBr$$₃ как центров \glqq зеленой\grqq люминесценции с $$lambda_max=508-523 nm в кристаллах CsBr : Eu. Определено, что интенсивность ФСЛ облученных рентгеновскими квантами кристаллов CsBr : EuOBr возрастает с увеличением концентрации активатора и показано, что кристаллы CsBr : ($0.3-0.4$ mol.% EuOBr) могут быть использованы как запоминающие фосфоры для визуализации рентгеновских изображений с высоким пространственным разделением.