ФТТ, 2004, том 46, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние давления на упругие свойства карбида кремния

С.Ю.Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: sergei.davydov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 13 ноября 2003 г.)

В рамках модели Китинга рассчитаны зависимости от давления p упругих постоянных второго порядка Cij и скорости звука в кристаллах 3C-SiC и 2H-SiC. Из зависимости Cij от p получены упругие постоянные третьего порядка Cijk для 3C-SiC.

Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ-03-02-16054, INTAS-01-0603 и NATO SfP N 978011.

 PDF версия (211Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster