ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние дефектов углеродной сетки на электронную структуру полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок

П.В.Аврамов *,**, Б.И.Якобсон **, G.E.Scuseria **

* Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,
660036 Красноярск, Россия
** Center for Biological and Environmental Nanotechnology, Rice University, Houston,
Texas 77005-1892, USA

(Поступила в Редакцию 26 сентября 2003 г.)

В рамках зонного подхода с использованием гауссового типа орбиталей и приближения обобщенного градиента плотности рассчитана полная плотность электронных состояний идеальной и ряда возможных дефектных структур одностенной углеродной нанотрубки (14,0). Было показано, что введение дефектов в идеальную атомную структуру нанотрубки позволяет удовлетворительно описать существующие экспериментальные данные по электронной структуре нанотрубки. В рамках этого же подхода рассчитана полная плотность электронных состояний межмолекулярного контакта (5,5) и (10,0) одностенных углеродных нанотрубок, сформированного за счет образования 5-7 дефекта. Показано, что электронные состояния, относящиеся к области контакта и 5-7 дефекту, локализованы в области уровня Ферми.

Работа поддержана Nanoscale Science and Engineering Initiative of the National Science Foundation, award number EEC-0118007 (Rice CBEN), и Welch Foundation.

 PDF версия (237Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster