ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рентгеноспектральный анализ межфазовой границы
тонкой пленки Al2O3, синтезированной на кремнии
методом молекулярного наслаивания

А.С.Шулаков, А.П.Брайко, С.В.Букин, В.Е.Дрозд

Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербурского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия

(Поступила в Редакцию 23 октября 2003 г.)

Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с разрешением по глубине изучены протяженность и фазовый химический состав межфазовой границы, формирующийся при молекулярном наслаивании (МН) слоя Al2O3 толщиной 6 nm на поверхность кристаллического кремния (c-Si). Показано, что процесс МН приводит к возникновению слоя смешанных оксидов Al2O3 и SiO2 толщиной примерно 6-8 nm, в котором диоксид кремния присутствует даже на поверхности образца, а его концентрация увеличивается с приближением к скрытой границе с подложкой. Предполагается, что причиной формирования такой сложной структуры слоя является встречная диффузия кислорода в глубь него и кремния от подложки к поверхности по границам зерен поликристаллического Al2O3 с последующим окислением кремния. Не обнаружено ни формирования кластеров металлического алюминия в области границы с c-Si, ни диффузии алюминия в глубь подложки. Установлено, что слои МН-Al2O3 толщиной до 60 nm имеют подобное строение.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-03-32771).

 PDF версия (292Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster