ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронная локализация в проводящих пленках Ленгмюра--Блоджетт

Л.А.Галченков, С.Н.Иванов, И.И.Пятайкин

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
125009 Москва, Россия
E-mail: iip@mail.cplire.ru

(Поступила в Редакцию 14 октября 2003 г.)

Изучена температурная зависимость внутрикристаллитной проводимости пленок Ленгмюра--Блоджетт комплекса с переносом заряда (КПЗ) (C16H33--TCNQ)0.4(C17H35--DMTTF)0.6, измеренная по затуханию поверхностных акустических волн в пьезоэлектрических линиях задержки, покрытых исследуемой пленкой ((C16H33--TCNO)0.4(C17H35--DMTTF)0.6 --- поверхностно-активный КПЗ на основе смеси 1.5:1 гептадецилдиметилтетратиафульвалена (C17H35--DMTTF) и гексадецилтетрацианохинодиметана (C16H33--TCNQ)). Обнаружено, что на температурной зависимости внутрикристаллитной проводимости при TMD=193.5 K имеется максимум, причем выше TMD проводимость пленок носит металлический характер (dsigma/d T<0), а ниже этой температуры изменяется по закону, близкому к одномерному моттовскому. Показано, что уменьшение проводимости с понижением температуры при TMD связано с локализацией электронных состояний в изучаемой нами квазиодномерной системе и вызвано наличием примесей и дефектов в цепочках TCNQ, по которым происходит распространение заряда. Установлено, что наблюдаемое изменение проводимости с температурой ниже TMD качественно и количественно согласуется с моделью локализации в квазиодномерной системе со слабым беспорядком, предложенной ранее Нахмедовым, Пригодиным и Самухиным. Аппроксимация экспериментальных результатов теоретическими зависимостями, полученными в рамках этой модели, позволила установить времена электрон-фононного и электрон-примесного рассеяния. Исходя из параметров структуры проводящего слоя оценены плотность состояний на уровне Ферми и скорость Ферми в исследованных пленках, что позволило определить длины свободного пробега и локализации в них.

Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты N 01-02-16068 и 03-02-22001) и грантом президента РФ по поддержке ведущих научных школ (НШ 1391.2003.2).

 PDF версия (291Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster