ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гистерезисный гальвано-механический эффект при процессах заряда-разряда ионисторных структур

М.Е.Компан, В.П.Кузнецов *, В.В.Розанов **, А.В.Якубович ***

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* ОАО \glqq НИИ Гириконд\grqq,
Санкт-Петербург, Россия
** Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
*** Лицей Физико-техническая школа при Физико-техническом институте Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Поступила в Редакцию 30 июня 2003 г.
В окончательной редакции 23 сентября 2003 г.)

Обнаружен эффект изменения размеров ионисторной конденсаторной структуры при процессах накопления-рассасывания на ней электрического заряда. Особенностью данного эффекта, отличающего его от других известных эффектов изменения размеров под действием электрических и магнитных полей (пьезоэффекта и стрикций), является полный гистерезис, т. е. сохранение размера, достигнутого при воздействии, после снятия этого воздействия.

 PDF версия (115Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster