Развиты две электростатические модели, позволяющие рассчитать критическую концентрацию водородоподобных примесей в трехмерных кристаллических полупроводниках, соответствующую фазовому переходу изолятор--металл и переходу металл--изолятор в пределе нулевой температуры. Переход изолятор--металл определяется по расходимости статической диэлектрической проницаемости слабо компенсированных полупроводников при увеличении концентрации поляризуемых примесей до критической. Переход металл--изолятор соответствует расходимости электрического сопротивления на постоянном токе сильно легированных полупроводников при увеличении степени компенсации основной примеси (или уменьшении ее концентрации). Критической концентрации примеси отвечает совпадение уровня протекания для основных носителей заряда с уровнем Ферми. Результаты расчетов, проведенных в рамках предложенных моделей, согласуются с экспериментальными данными для кристаллов кремния и германия $n$- и $p$-типов в широком диапазоне их степеней легирования и компенсации примесей.

Работа поддержана Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант N Ф01-199) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 01-02-17813).