ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектры краевой фотолюминесценции и интенсивность линий внутрицентровых f\kern-1pt-\kern-1ptf-переходов в кристаллах GaN, легированных Er, Sm

В.В.Криволапчук, В.В.Лундин, М.М.Мездрогина, А.В.Насонов, С.В.Родин, Н.М.Шмидт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vlad.krivol@mail.ioffe.ru, margaret.m@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 14 июля 2003 г.
В окончательной редакции 1 сентября 2003 г.)

Представлены результаты исследований легирования редкоземельными ионами (РЗИ) кристаллов GaN с разной степенью совершенства мозаичной структуры, полученных различными методами (HVPE и MOCVD). На основании анализа вида спектров фотолюминесценции до и после легирования установлено, что при уменьшении концентрации дефектов происходят внутрицентровые f\kern-1pt-\kern-1ptf-переходы, характерные для РЗИ: 1.54 и 0.54 mum --- Er3+, 0.72 mum --- Sm2+. Внутрицентровые f\kern-1pt-\kern-1ptf-переходы РЗИ, как правило, наблюдаются в эпитаксиальных слоях с хорошо сросшимися и отрелаксировавшими доменами и отстутствуют в случае наличия мозаичной структуры, имеющей не полностью сросшиеся домены в приповерхностной части эпитаксиального слоя. Наблюдался эффект геттерирования дефектов в исследованных кристаллах при легировании РЗИ.

 PDF версия (470Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster