ФТТ, 2004, том 46, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Магниторефрактивный эффект в нанокомпозитах:
зависимость от угла падения и поляризации света

А.Б.Грановский, М.Инуе *,**, Ж.П.Клерк ***, А.Н.Юрасов

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
* Toyohashi University of Technology,
Toyohashi 441-8580, Japan
** CREST, Japan Science \& Technology Corporation,
Kawaguchi 332-0012, Japan
*** Ecole Polytechnique, Universitaire de Marseille, Technopole de Chateau Gombert,
13453 Marseille, France
E-mail: granov@magn.ru

(Поступила в Редакцию 21 июля 2003 г.)

В рамках механизма высокочастотного спин-зависимого туннелирования рассчитаны поляризационные и угловые зависимости магниторефрактивного эффекта (МРЭ) в нанокомпозитах металл--диэлектрик при отражении и прохождении света. МРЭ имеет слабую поляризационную и угловую зависимость при малых углах падения света. При увеличении угла падения МРЭ на отражении и прохождении начинает сильно возрастать. МРЭ на отражении достигает наибольших значений для p-поляризованного света при угле падения, близком к углу падения Брюстера, для нанокомпозитов вблизи порога перколяции с содержанием металла, соответствующим диэлектрической фазе. Результаты расчета находятся в качественном согласии с экспериментальными данными.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-16127) и программы \glqq Университеты России\grqq.

 PDF версия (163Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster