ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Теплоемкость сегнетоэлектрика-релаксора SBN

Е.Д.Якушкин

Институт кристаллографии Российской академии наук,
117333 Москва, Россия
E-mail: yakushkin@ns.crys.ras.ru

(Поступила в Редакцию 10 июня 2003 г.)

Исследована температурная зависимость теплоемкости в монокристалле сегнетоэлектрика-релаксора SBN. Обнаружены гистерезисы и \glqq двухуровневый\grqq эффект в области температуры максимума диэлектрической проницаемости.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16823).

 PDF версия (131Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster