Методом связывающих орбиталей Харрисона рассчитана энергия замещения $$delta E атомов Si и C в карбиде кремния элементами III и V групп. Рассмотрены два положения атома замещения: в объеме SiC и на его поверхности. С учетом сил изображения дана оценка выигрыша в энергии при замещении поверхностного атома карбида кремния по сравнению с замещением объемного атома. Обсуждается роль релаксации примесной связи.

Работа выполнена при поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-16054, INTAS-01-0603 и NATO SfP N978011.