| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Изменение электронной плотности при сверхпроводящем фазовом переходе в NbAl
С.А.Немов, П.П.Серегин, Ю.В.Кожанова, Н.Н.Троицкая, В.П.Волков, Н.П.Серегин, В.Ф.Шамрай
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
Институт металлургии Российской академии наук,
117911 Москва, Россия
(Поступила в Редакцию 20 мая 2003 г.)
|
Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе Ge исследовано изменение электронной плотности при сверхпроводящем фазовом переходе в классическом сверхпроводнике NbAl с критической температурой K. Сравнение полученных данных с аналогичными данными для изотопа Zn в решетках высокотемпературных сверхпроводников показало, что наблюдается корреляция между изменением электронной плотности на ядрах мессбауэровских зондов и величиной . Предполагается, что эта корреляция отражает зависимость изменения электронной плотности от стандартной корреляционной длины. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17306).
|
| PDF версия (112Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |