Обзор посвящен рассмотрению физических свойств манганитов $R$_1-xA_xMnO$$₃ ($R=La$, Pr, Nd, Sm и др., $A=Ca$, Sr, Ba) в области их электронного легирования, когда концентрация двухвалентных атомов $x$ в соединении находится в интервале varepsilon( k) и полной энергии носителей заряда для всевозможных магнитных и орбитальных конфигураций системы, отвечающих трансляционной симметрии решетки. Теоретическое рассмотрение выполнено отдельно для двух моделей кристаллической структуры с двумя и четырьмя атомами марганца в элементарной ячейке. Все равновесные магнитные и орбитальные конфигурации четырехподрешеточной модели манганитов были определены в результате минимизации полной энергии системы по направлениям локальных магнитных моментов марганца и орбитальным состояниям $e$_g электронов.

Показано, что использование эффективного гамильтониана вырожденной модели двойного обмена $e$_g электронов, учитывающей расщепление $e$_g уровня, и гамильтониана Гейзенберга локализованных $t$_2g электронов позволяет описать многообразие магнитных фаз, порядок их чередования с ростом $x$ и корреляцию спиновых и орбитальных степеней свободы, которые наблюдаются в эксперименте в большинстве легированных электронами манганитов.

Работа выполнена при поддержке российско-белорусского проекта Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-81012 Бел2002-а.