ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансное комбинационное рассеяние света напряженными и срелаксированными Ge-квантовыми точками

А.Г.Милехин, А.И.Никифоров, М.Ю.Ладанов, О.П.Пчеляков, Ш.Шульце *, Д.Р.Т.Цан *

Институт физики полупроводников Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Технический университет,
Д-09107 Кемниц, Германия
E-mail: milekhin@thermo.isp.nsc.ru

Представлены результаты исследований фундаментальных колебаний в структурах Ge/Si c напряженными и срелаксированными квантовыми точками Ge, выполненных с помощью резонансного комбинационного рассеяния света. Самоорганизованные напряженные квантовые точки Ge/Si выращены в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si, ориентированных в направлении (001). Выращивание ультратонкого слоя оксида кремния до нанесения слоя Ge позволяло формировать срелаксированные квантовые точки Ge.

Резонансное комбинационное рассеяние света, селективное по размеру квантовых точек, позволило однозначно идетифицировать линию вблизи 300 cm-1, обусловленную оптическими фононами, локализованными в срелаксированных квантовых точках Ge. Изучено влияние эффектов локализации и механических напряжений на колебательный спектр структур с квантовыми точками Ge.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17746) и ИНТАС (грант N 01-0444).

 PDF версия (537Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster