С помощью спектроскопии КРС определены компонентный состав и механические напряжения в Si$$_1-xGe$$_x-наноостровках, содержащихся в многослойной и однослойной структурах, выращенных в одинаковых условиях. Показано, что возрастание содержания кремния в островках в многослойной структуре не приводит к большей (по сравнению с одиночным слоем островков) их релаксации из-за отсутствия свободной поверхности. Экспериментально получен спектр рассеяния на свертках акустических фононов с довольно малыми полуширинами полос, что свидетельствует о высоком качестве выращенных сверхрешеток с наноостровками.

Работа выполнена при поддержке Украинско-российской программы \glqq Нанофизика\grqq и INTAS-проекта N 01-444.