ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рост и структура наноостровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси Si

А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: nikif@isp.nsc.ru

Приведены экспериментальные данные о процессе формирования самоорганизованных островков Ge на атомарно-чистой окисленной поверхности Si(100). В отличие от механизма роста Странского--Крастанова, который реализуется в случае роста Ge на чистой поверхности кремния, на окисленной поверхности кремния наблюдается механизм роста Фольмера--Вебера. Процесс роста сопровождается существенным изменением размера поверхностной ячейки решетки Ge относительно этого параметра для Si, достигающего 7%. Получаемые наноостровки при толщине пленки Ge до 5 монослоев имеют размеры в основании менее 10 nm с плотностью более 2·1012 cm-2.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16468 и 03-02-16506).

 PDF версия (229Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster