ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях

А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, А.В.Ненашев, А.Ф.Зиновьева

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: dvurech@isp.nsc.ru

Обнаружено расщепление линий оптических переходов экситонных состояний на два пика в системе Ge/Si с квантовыми точками при наложении электрического поля. При увеличении напряженности поля один из пиков смещается в область больших энергий оптических переходов (синее смещение), другой --- в область меньших энергий (красное смещение). Результаты объясняются на основе представления об образовании диполей электрон-дырка двух типов, различающихся направлением дипольного момента и возникающих за счет локализации одного электрона в области вершины Ge пирамиды, а другого электрона --- под основанием пирамиды.

На основе метода сильной связи определены главные значения g-фактора дырочных состояний в квантовых точках Ge/Si. Показано, что g-фактор является сильно анизотропным, анизотропия ослабевает при уменьшении размера квантовых точек. Физические основы зависимости g-фактора от размеров квантовой точки заключаются в изменении вкладов в полную волновую функцию состояний с различными проекциями угловых моментов при вариации размеров. Расчеты показывают, что с уменьшением размера квантовых точек уменьшается вклад состояний тяжелых дырок с проекцией углового момента ± 3/2 и возрастает вклад состояний легких дырок и состояний спин-отщепленной зоны с проекцией углового момента ± 1/2.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16020, 03-02-16526), программы \glqq Университеты России\grqq (грант N УР.01.01.019) и INTAS (грант N 2001-0615).

 PDF версия (166Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster