| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, А.В.Ненашев, А.Ф.Зиновьева
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: dvurech@isp.nsc.ru
|
Обнаружено расщепление линий оптических переходов экситонных состояний на два пика в системе Ge/Si с квантовыми точками при наложении электрического поля. При увеличении напряженности поля один из пиков смещается в область больших энергий оптических переходов (синее смещение), другой --- в область меньших энергий (красное смещение). Результаты объясняются на основе представления об образовании диполей электрон-дырка двух типов, различающихся направлением дипольного момента и возникающих за счет локализации одного электрона в области вершины Ge пирамиды, а другого электрона --- под основанием пирамиды. На основе метода сильной связи определены главные значения -фактора дырочных состояний в квантовых точках Ge/Si. Показано, что -фактор является сильно анизотропным, анизотропия ослабевает при уменьшении размера квантовых точек. Физические основы зависимости -фактора от размеров квантовой точки заключаются в изменении вкладов в полную волновую функцию состояний с различными проекциями угловых моментов при вариации размеров. Расчеты показывают, что с уменьшением размера квантовых точек уменьшается вклад состояний тяжелых дырок с проекцией углового момента и возрастает вклад состояний легких дырок и состояний спин-отщепленной зоны с проекцией углового момента . Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16020, 03-02-16526), программы \glqq Университеты России\grqq (грант N УР.01.01.019) и INTAS (грант N 2001-0615). |
| PDF версия (166Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |