Исследовано влияние температуры постимплантационного отжига на электролюминесцентные, электрофизические и структурные свойства светодиодов, полученных имплантацией ионов бора в $n$-Si с удельным сопротивлением 0.5 и 500 $$Omegacm. Во всех спектрах доминируют пики электролюминесценции (ЭЛ), обусловленные зона-зонными излучательными переходами. Увеличение температуры отжига от 700 до 1100$o$C сопровождается монотонным ростом квантовой эффективности для доминирующего пика ЭЛ и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в базе светодиодов, а также трансформацией протяженных структурных дефектов. Анализ экспериментальных результатов показывает, что образовавшиеся протяженные структурные дефекты влияют на ЭЛ характеристики, скорее, через образование или геттерирование центров излучательной и безызлучательной рекомбинации, чем предотвращают уxод носителей заряда на центры безызлучательной рекомбинации. Наибольшая внутренняя квантовая эффективность достигнута после отжига при 1100$o$C, когда протяженные структурные дефекты обнаружены не были. Ее величина оценена на уровне 0.4% при 300 K.

Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 02-02-16692) и отделением физических наук РАН в рамках научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.