ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1
ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Электронный транспорт и детектирование терагерцевого излучения субмикронными полевыми транзисторами с двумерным электронным газом GaAs/AlGaAs
А.В.Антонов, В.И.Гавриленко, Е.В.Демидов, С.В.Морозов, А.А.Дубинов,
J.Lusakowski , W.Knap, N.Dyakonova, E.Kaminska,
A.Piotrowska, K.Golaszewska, M.S.Shur
Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
GES--UMR, CNRS--Universite Montpellier 2,
34950 Montpellier, France
Institute of Experimental Physics, University of Warsaw,
00-681 Warsaw, Poland
Institute of Electron Technology,
02-668 Warsaw, Poland
Rensselaer Polytechnic Institute, Troy,
N. Y. 121180-3590, USA
E-mail: more@ipm.sci-nnov.ru
|
Исследуются электронный транспорт и отклик в терагерцевом диапазоне в полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью. Особый интерес к таким транзисторам связан с возможностью создания на основе этих приборов приемников и генераторов, работающих в THz-диапазоне. Измерения величины и зависимости сопротивления стокисток от магнитного поля используются для оценки электронной плотности и подвижности в канале транзистора. Результаты магнитотранспортных измерений используются для интерпретации наблюдаемого нерезонансного детектирования в транзисторах с шириной затвора от 0.8 до 2.5 m.
|
| PDF версия (216Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |