ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние характера пробоя p-n-перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

В.Б.Шмагин, Д.Ю.Ремизов, З.Ф.Красильник, В.П.Кузнецов,
В.Н.Шабанов, Л.В.Красильникова, Д.И.Крыжков, М.Н.Дроздов

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: shm@ipm.sci-nnov.ru

На примере серии светоизлучающих диодных структур Si : Er / Si с плавно меняющимся механизмом пробоя p-n-перехода, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, исследовано влияние механизма пробоя на электролюминесцентные свойства структур. Показано, что максимальные интенсивности и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er3+ при комнатной температуре достигаются в диодных структурах, работающих в режиме смешанного пробоя.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16773), Минпромнауки РФ (Госконтракт N 40.020.1.1.1159).

 PDF версия (454Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster