ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффект Ханле в неоднородно легированном GaAs

Р.И.Джиоев, Б.П.Захарченя, К.В.Кавокин, М.В.Лазарев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: dzhioev@orient.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 2 июня 2003 г.)

В стационарных условиях оптической ориентации исследовано распределение спиновой плотности в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Дан подробный анализ динамики и релаксационных процессов, ответственных за установившуюся пространственную неоднородность спиновой ориентации. Определены концентрации акцепторной примеси в разных областях неоднородно легированного арсенида галлия. Концентрации определялись по временам спиновой релаксации, измеренным методом оптической ориентации.

Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований.

 PDF версия (319Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster