ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние деформации решетки и фазовых переходов на электронные спектры слоистых полупроводников TlGaS2, TlGaSe2 и TlInS2

Т.Г.Мамедов *, Р.А.Сулейманов *,**

* Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
370143 Баку, Азербайджан
E-mail: mamedov-tofig@azdata.net
** Бакинский государственный университет,
370148 Баку, Азербайджан
E-mail: rauf

(Поступила в Редакцию 11 ноября 2002 г.)

Изучен ряд деформационных эффектов в электронных спектрах слоистых полупроводников TlGaS2, TlGaSe2 и TlInS2. Показано, что изменения ширины запрещенной зоны указанных полупроводников при приложении гидростатического и одноосного давлений в результате теплового расширения и изменения состава можно описать в рамках единой модели деформационного потенциала. Основная особенность этой модели --- наличие деформационных потенциалов, имеющих разные знаки --- характерна и для других полупроводников, имеющих слоистую структуру. Построение модели деформационного потенциала позволило установить необычный характер деформации кристаллической решетки исследованных полупроводников с давлением в непосредственной близости от фазовых переходов.

Работа финансировалась Институтом физики Национальной академии наук Азербайджана.

 PDF версия (230Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster