Представлены результаты анализа спектров решеточного ИК отражения от многопериодных сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками CdTe, выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с буферным слоем CdTe. Показано, что спектры изучаемых структур характеризуются тремя интенсивными полосами отражения, связанными с колебательными возбуждениями в подложке GaAs, в потенциальных барьерах ZnTe и в буферном слое CdTe. Анализ каждой из обнаруженных полос позволил по сдвигу фононных частот выявить наличие внутренних упругих напряжений в приповерхностном слое подложки GaAs, а также в потенциальных барьерах ZnTe. Установлена релаксация упругих напряжений в разделяющих слоях ZnTe при увеличении их толщины. Обнаружено отщепление дополнительной моды от основной полосы отражения, которую мы связываем с проявлением ZnTe-подобных колебаний образовавшегося сплава ZnCdTE за счет взаимодиффузии Cd и Zn на границах раздела.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-7110).