ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кинетика точечных дефектов и процессы аморфизации в тонких пленках при облучении

И.А.Овидько, А.Б.Рейзис

Институт проблем машиноведения Российской академии наук,
199178 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: ovidko@def.ipme.ru

(Поступила в Редакцию 11 февраля 2003 г.)

Предложена теоретическая модель для описания эволюции ансамбля точечных дефектов (вакансий и межузельных атомов) и ее влияния на процессы твердофазной аморфизации в облучаемых кристаллических тонких пленках. Предлагаются уравнения кинетики точечных дефектов в облучаемых тонких пленках в случае отсутствия ионной имплантации. С помощью численного решения данного кинетического уравнения проведен расчет температурной зависимости \glqq дозы начала аморфизации\grqq, которая сравнивается с соответствующими экспериментальными данными.

Настоящая работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16853) и программы \glqq Интеграция\grqq (грант Б0026).

 PDF версия (91Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster