ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Безызлучательная рекомбинация и кинетика оптически ориентированных электронов на интерфейсе GaAs / AlGaAs

Р.И.Джиоев, К.В.Кавокин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Поступила в Редакцию 25 февраля 2003 г.)

Показано, что оптическая ориентация электронных спинов в полупроводниках позволяет реализовать чувствительный метод измерения зависимости времени жизни носителей от их концентрации. Эксперименты, проведенные в стационарном режиме при малой интенсивности возбуждения на гетероструктуре GaAs / AlGaAs, позволили исследовать безызлучательную рекомбинацию электронов и дырок, разделенных встроенным в интерфейс электрическим полем.

 PDF версия (129Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster