ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция объемных кристаллов GaN, легированных Eu

В.В.Криволапчук, М.М.Мездрогина, А.В.Насонов, С.Н.Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vlad.krivol@pop.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 30 января 2003 г.)

На основании исследований изменения спектров фотолюминесценции объемных кристаллов GaN, легированных Eu, показано, что в зависимости от суммарной концентрации дефектов в исходной полупроводниковой матрице легирующая примесь может находиться в кристалле в различном зарядовом состоянии. В кристаллах с наименьшей концентрацией дефектов с мелкими уровнями реализуется лишь одно зарядовое состояние иона --- Eu3+. Обнаружено, что при увеличении концентрации таких дефектов Eu в матрице GaN может существовать в двух зарядовых состояниях --- Eu2+ и Eu3+. Наблюдался эффект геттерирования дефектов исходной матрицы GaN редкоземельной примесью.

 PDF версия (169Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster