ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Зарядовое упорядочение, индуцированное собственными дефектами в субмонослоях типа Sn / Ge(111) со степенью покрытия,
близкой к 1/3

В.Н.Меньшов, В.В.Тугушев

Российский научный центр \glqq Курчатовский институт\grqq,
123182 Москва, Россия
E-mail: vvtugushev@mail.ru

(Поступила в Редакцию 19 августа 2002 г.
В окончательной редакции 15 декабря 2002 г.)

Предложена термодинамическая модель формирования структуры с волной зарядовой плотности (ВЗП) типа (3x 3), возникающей на фоне структуры типа l(\sqrt3x\sqrt3r)R300 в субмонослое металла IV группы (Sn, Pb), адсорбированного со степенью покрытия ~ 1/3 на поверхности (111) полупроводника (Ge, Si). Расчеты проведены в рамках самосогласованной теории для статических флуктуаций амплитуды параметра порядка. Показано, что низкосимметричная фаза (3x 3) может зарождаться на точечных дефектах субмонослоя в виде зарядово-упорядоченных областей конечного радиуса. Рассчитаны пространственная конфигурация ВЗП и ее температурная зависимость. Полученные результаты сопоставляются с экспериментальными данными для системы Sn / Ge(111).

Работа выполнена в рамках научно-исследовательского проекта Минпромнауки РФ по теме \glqq Наноэлектроника\grqq.

 PDF версия (117Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster