Экспериментально зарегистрирована термостимулированная эмиссия электронов из сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата (ТГС) с примесью хрома в температурной области, превышающей точку Кюри на 6 K для образцов, нагреваемых с относительно высокой скоростью. Показано, что увеличение скорости нагрева $q$ приводит к увеличению плотности эмиссионного тока во всей исследуемой области температур. В кристалле ТГС с примесью хрома температура возникновения эмиссии зависит от скорости $q$ незначительно и близка к случаю чистого ТГС, а температура исчезновения эмиссии монотонно увеличивается с увеличением $q$ при относительно низких скоростях нагрева и стабилизируется при высоких $q$. В то же время интервал затягивания эмиссии в парафазу здесь примерно в 2 раза меньше, чем для случая чистого ТГС, нагреваемого с той же скоростью. Особенности эмиссии исследуемого кристалла объясняются релаксацией зарядов экранирования спонтанной поляризации. Меньшая температура окончания эмиссии по сравнению с чистым кристаллом ТГС в кристалле с примесью хрома объясняется меньшим временем максвелловской релаксации в примесном кристалле.

Работа выполнена при поддержке Американского фонда гражданских исследований и развития для независимых государств бывшего Советского Союза (CRDF) (грант VZ-010) и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16828).