Вперые обнаружено влияние слабых ( T) импульсных магнитных полей на сегнетоэлектрические и диэлектрические характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата. После кратковременного (секунды) импульсного магнитного воздействия наблюдались долговременные (сотни часов) изменения коэрцитивного поля, температурных зависимостей диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и времени релаксации диэлектрической проницаемости вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. Предполагается, что обнаруженные эффекты обусловлены откреплением доменных стенок и дислокаций от стопоров с последующим формированием новых дефектной и доменной структур.