ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффект большого положительного магнитосопротивления в слабых магнитных полях в металл-диэлектрических нанокомпозитах

А.Е.Варфоломеев, М.В.Седова *

Российский научный центр \glqq Курчатовский институт\grqq,
123182 Москва, Россия
* Институт проблем прикладной электродинамики Российской академии наук,
127412 Москва, Россия
E-mail: varfol@imp.kiae.ru

(Поступила в Редакцию 3 июля 2002 г.)

При исследовании магнитоспротивления гранулированных пленок Fe / SiO2 в области составов, соответствующих диэлектрическому поведению проводимости образцов, обнаружен эффект большого положительного магнитосопротивления. Положительное магнитосопротивление достигает величины 10% в магнитных полях ~100 Oe при комнатной температуре и характеризуется медленными временами отклика (~2 min) на ступенчатое изменение магнитного поля. Природа эффекта, по-видимому, связана с влиянием на магнитосопротивление ферромагнитных кластерных образований из наночастиц железа.

 PDF версия (124Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster