ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анализ механизмов переноса заряда в монокристаллах Ca4Ga2S7:Eu3+, определяющих форму вольт-амперных характеристик

Б.Г.Тагиев, У.Ф.Касумов, Н.Н.Мусаева, Р.Б.Джаббаров

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
370143 Баку, Азербайджан
E-mail: ulvi@azintex.com и ulwi@mail.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 27 июня 2002 г.)

Впервые представлены вольт-амперные характеристики монокристалла Ca4Ga2S7:Eu3+ и предпринята попытка теоретического обоснования процессов, обусловливающих их форму. Показано, что монокристаллы Ca4Ga2S7:Eu3+ являются высокоомными полупроводниками с удельным сопротивлением ~109 Omega·cm и относительной диэлектрической проницаемостью 10.55. Электрические свойства данных материалов определяют ловушки с энергиями активации 0.13 и 0.19 eV и концентрацией 9.5·1014-2.7·1015 cm-3. В слабых электрических полях имеет место монополярная инжекция носителей тока. В полях, превышающих 4·103 V / cm, происходит термополевая ионизация этих ловушек согласно теории Пула--Френкеля.

При низких температурах в сильных полях (160 K и 5·104 V / cm) прохождение тока, по всей видимости, обусловлено прыжковой проводимостью носителей заряда по уровням в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми.

 PDF версия (218Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster