Обнаружено влияние типа проводимости и степени легирования монокристаллов InSb на подвижность быстрых $60o$ дислокаций в магнитном поле. Оказалось, что при легировании чистого кристалла InSb теллуром ($n$-тип) до $1018$ cm$-3$ подвижность дислокаций падает до уровня фона. В то же время в кристаллах InSb $p$-типа, легированных Ge, при такой же концентрации носителей ($1018$ cm$-3$) магнитопластический эффект ярко выражен. Показано, что предварительное механическое нагружение, а следовательно, и внутренние напряжения кристалла влияют не только на среднюю величину пробегов дислокаций в магнитном поле, но и на величину порогового магнитнго поля, ниже которого магнитопластический эффект не наблюдается. Обсуждаются возможные причины этих явлений.

Работа частично финансировалась грандом Российской академии наук (Шестой конкурс научных проектов молодых ученых РАН).